RN1910FE,LFCT

Toshiba 东芝分立器件

Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

艾睿:
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

TME:
Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 100mW; ES6; 4.7kΩ

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RN1910FE,LFCT中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1910FE,LFCT引脚图与封装图

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