RN1110MFV,L3F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
RN1110MFV,L3F中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
外形尺寸
高度 0.5 mm
封装 SOT-723
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN1110MFV,L3F引脚图与封装图 
RN1110MFV,L3F封装图
RN1110MFV,L3F封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN1110MFV,L3F | Toshiba 东芝 | VESM NPN 50V 100mA | 搜索库存 |