RN1105MFV,L3F

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin VESM Embossed T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

艾睿:
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

RN1105MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

RN1105MFV,L3F引脚图与封装图

RN1105MFV,L3F引脚图

RN1105MFV,L3F封装图

RN1105MFV,L3F封装焊盘图

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RN1105MFV,L3F	Toshiba 东芝	Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3Pin VESM Embossed T/R	搜索库存