RN1130MFV,L3F
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
封装 SOT-723
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RN1130MFV,L3F | Toshiba 东芝 | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3Pin VESM Embossed T/R | 搜索库存 |