RN2306,LF

Toshiba(东芝) 分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased USM TRANSISTOR Pd 0.1W1/10W F 200MHz

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SC-70

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz

艾睿:
Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor

Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

RN2306,LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2306,LF引脚图与封装图

RN2306,LF引脚图

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RN2306,LF	Toshiba 东芝	Bipolar Transistors - Pre-Biased USM TRANSISTOR Pd 0.1W1/10W F 200MHz	搜索库存