RLZTE-115.6B
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RLZTE-115.6B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 5.6 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
长度 3.4 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.5 mm
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
RLZTE-115.6B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RLZTE-115.6B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RLZTE-115.6B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 稳压二极管 Zener diode | 搜索库存 |
替代型号RLZTE-115.6B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RLZTE-115.6B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： LLDS | 当前型号 | 稳压二极管 Zener diode | 当前型号 |
| 型号： RLZTE-1115B 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 类似代替 | 500毫安齐纳二极管无铅 500mA Zener Leadless Diode | RLZTE-115.6B和RLZTE-1115B的区别 |
| 型号： RLZTE-1110B 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 类似代替 | 500MW齐纳二极管无铅 500MW Zener Leadless Diode | RLZTE-115.6B和RLZTE-1110B的区别 |