RLZTE-113.9A
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RLZTE-113.9A中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
稳压值 3.9 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RLZTE-113.9A引脚图与封装图
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在线购买RLZTE-113.9A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RLZTE-113.9A | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | LLDS 3.875V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号RLZTE-113.9A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RLZTE-113.9A 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-213 | 当前型号 | LLDS 3.875V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： RLZTE-1112A 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 类似代替 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-113.9A和RLZTE-1112A的区别 |
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| 型号： RLZTE-115.1A 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 类似代替 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-113.9A和RLZTE-115.1A的区别 |