容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 4.7 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
封装 Mini-MELF
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RLZTE-114.7B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RLZTE-114.7B 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOD80/LL34-4.7V | 当前型号 | 电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管 | 当前型号 | |
型号: RLZTE-115.6B 品牌: 罗姆半导体 封装: LLDS | 类似代替 | 稳压二极管 Zener diode | RLZTE-114.7B和RLZTE-115.6B的区别 | |
型号: RLZTE-115.1B 品牌: 罗姆半导体 封装: LL-34 | 功能相似 | ROHM RLZTE-115.1B 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, LL-34, 2 引脚, 175 °C | RLZTE-114.7B和RLZTE-115.1B的区别 | |
型号: BZV55-C5V6 品牌: 安世 封装: | 功能相似 | Zener Diode, 5.6V VZ, 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional | RLZTE-114.7B和BZV55-C5V6的区别 |