RLZTE-117.5B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RLZTE-117.5B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
稳压值 7.3 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RLZTE-117.5B引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RLZTE-117.5B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 0.5W,7.5V齐纳稳压二极管 | 搜索库存 |
替代型号RLZTE-117.5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RLZTE-117.5B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 当前型号 | 0.5W,7.5V齐纳稳压二极管 | 当前型号 |
| 型号： RLZTE-115.6B 品牌： 罗姆半导体 封装： LLDS | 类似代替 | 稳压二极管 Zener diode | RLZTE-117.5B和RLZTE-115.6B的区别 |
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