RLZTE-116.8B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 20 mA
稳压值 6.8 V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
封装 Mini-MELF
工作温度 -65℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RLZTE-116.8B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RLZTE-116.8B 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: DO-213AC | 当前型号 | 电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管 | 当前型号 | |
型号: BZT52C5V6 品牌: 威世 封装: SOD-123 | 功能相似 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | RLZTE-116.8B和BZT52C5V6的区别 |