容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 10 mA
稳压值 16 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
封装 Mini-MELF
长度 3.4 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.5 mm
封装 Mini-MELF
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RLZTE-1116B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 稳压二极管 DIODE ZENER 15.645V 500MW | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RLZTE-1116B 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOD80/LL34-16V | 当前型号 | 稳压二极管 DIODE ZENER 15.645V 500MW | 当前型号 | |
型号: RLZTE-115.1B 品牌: 罗姆半导体 封装: LL-34 | 功能相似 | ROHM RLZTE-115.1B 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, LL-34, 2 引脚, 175 °C | RLZTE-1116B和RLZTE-115.1B的区别 | |
型号: BZT52C5V6-TP 品牌: 美微科 封装: SOD-123 5.6V | 功能相似 | 稳压二极管 500mW 5.6V | RLZTE-1116B和BZT52C5V6-TP的区别 | |
型号: BZT52C5V6-TP-HF 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | SOD-123 5.6V 0.5W1/2W | RLZTE-1116B和BZT52C5V6-TP-HF的区别 |