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RLZTE-116.2B

RLZTE-116.2B

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

0.5W,6.2V齐纳稳压二极管

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min. | 5.96V \---|--- 平均Typ. | 6.2V 最大max. | 6.27V 误差Tolerance | 最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance | 10Ω/ohm 最大反向漏电流IRuAReverse Current | 5uA 最大耗散功率PdPower dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Voltage regulation Grass seald envelope. LLDS High reliability. Zener diode 描述与应用 | 电压调节 玻璃封装型。 (LLDS) 高可靠性。 齐纳


得捷:
DIODE ZENER 6.2V 500MW LLDS


安富利:
Diode Zener Single 6.115V 3% 500mW 2-Pin LLDS T/R


力源芯城:
0.5W,6.2V齐纳稳压二极管


RLZTE-116.2B中文资料参数规格
技术参数

容差 ±3 %

耗散功率 500 mW

稳压值 6.2 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RLZTE-116.2B引脚图与封装图
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RLZTE-116.2B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 0.5W,6.2V齐纳稳压二极管 搜索库存
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型号: RLZTE-116.2B

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: DO-213AC

当前型号

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当前型号

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品牌: 罗姆半导体

封装: LLDS

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