RLZTE-1118B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RLZTE-1118B中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
测试电流 10 mA
稳压值 17.3 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
长度 3.4 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.5 mm
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RLZTE-1118B引脚图与封装图
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在线购买RLZTE-1118B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RLZTE-1118B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | 搜索库存 |
替代型号RLZTE-1118B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RLZTE-1118B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 当前型号 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | 当前型号 |
| 型号： RLZTE-115.6B 品牌： 罗姆半导体 封装： LLDS | 类似代替 | 稳压二极管 Zener diode | RLZTE-1118B和RLZTE-115.6B的区别 |
| 型号： RLZTE-1127B 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD80/LL34-27V | 类似代替 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-1118B和RLZTE-1127B的区别 |
| 型号： RLZTE-115.1B 品牌： 罗姆半导体 封装： LL-34 | 功能相似 | ROHM RLZTE-115.1B 单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, LL-34, 2 引脚, 175 °C | RLZTE-1118B和RLZTE-115.1B的区别 |