RN55C1004BB14中文资料参数规格
技术参数
额定功率 125 mW
电阻 1 MΩ
阻值偏差 ±1 %
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
封装 Axial Leaded
物理参数
温度系数 ±50 ppm/℃
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RN55C1004BB14引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RN55C1004BB14 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RN55C1004BB14 金属膜电阻, 1MΩ, 125mW, 1% | 搜索库存 |