
容差 ±1 %
额定功率 3 W
电阻 0.1 Ω
阻值偏差 ±1 %
工作温度Max 350 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 Axial Leaded
长度 15.8 mm
高度 14.22 mm
封装 Axial Leaded
温度系数 ±90 ppm/℃
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RS02BR1000FE12 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RS02BR1000FE12 绕线电阻, 0.1欧姆 1% 3W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RS02BR1000FE12 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: Axial 100mohms 3W 1per | 当前型号 | VISHAY RS02BR1000FE12 绕线电阻, 0.1欧姆 1% 3W | 当前型号 | |
型号: WHDR10FET 品牌: Ohmite 封装: Axial 100mΩ 3W ±1% | 类似代替 | OHMITE WHDR10FET 绕线电阻, 0.1Ω, 3W, 1% | RS02BR1000FE12和WHDR10FET的区别 | |
型号: 23JR10E 品牌: Ohmite 封装: Axial 100mΩ 3W ±5% | 功能相似 | OHMITE 23JR10E 绕线电阻, 0.1欧姆 5% 3W | RS02BR1000FE12和23JR10E的区别 | |
型号: MCKNP03UJ010KB00 品牌: Multicomp 封装: Axial 100mΩ 3W ±5% | 功能相似 | MULTICOMP MCKNP03UJ010KB00. 绕线电阻, 0.1Ω, 3W, 5% | RS02BR1000FE12和MCKNP03UJ010KB00的区别 |