RN55D33R2FB14中文资料参数规格
技术参数
额定功率 125 mW
电阻 33.2 Ω
阻值偏差 ±1 %
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
长度 7.06 mm
封装 Axial Leaded
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
温度系数 ±100 ppm/℃
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RN55D33R2FB14引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN55D33R2FB14 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RN55D33R2FB14 金属膜电阻, 33.2Ω, 125mW, 1% | 搜索库存 |