![RN55C2002FB14](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_311/chanpintu/rn55c2002fb14-Fir0coZe-eZnW10XqA.png)
RN55C2002FB14中文资料参数规格
技术参数
额定功率 125 mW
电阻 20 kΩ
阻值偏差 ±1 %
额定电压 200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 Axial Leaded
外形尺寸
长度 7.06 mm
封装 Axial Leaded
物理参数
温度系数 ±50 ppm/℃
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
RN55C2002FB14引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RN55C2002FB14 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY RN55C2002FB14 金属膜电阻, 20KΩ, 100mW, 1% | 搜索库存 |