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RW0S6BBR100FET

RW0S6BBR100FET

数据手册.pdf
Ohmite 被动器件

2010 0.1Ω ±1% 0.6W ±90ppm/℃

100 mOhms ±1% 0.6W 芯片 2010(5025 公制) 电流检测 绕线


得捷:
RES 0.1 OHM 1% 0.6W 2010


立创商城:
100mΩ ±1% 600mW


Allied Electronics:
Resistor; Wirewound; Res 0.1 Ohms; Pwr-Rtg0.6 W; Tol 1%; SMT; 2010


Verical:
Res Wirewound 0.1 Ohm 1% 0.6W ±90ppm/C Molded J-Lead SMD T/R


Newark:
# OHMITE  RW0S6BBR100FET  SMD Chip Resistor, Wirewound, 0.1 ohm, 50 V, 2010 [5025 Metric], 600 mW, ± 1%, RW Series


MASTER:
Res Wirewound 0.1 Ohm 1% 0.6W ±90ppm/°C J-Lead SMD T/R


Online Components:
Res Wirewound 0.1 Ohm 1% 0.6W ±90ppm/°C J-Lead SMD T/R


Electro Sonic:
Res Wirewound 0.1 Ohm 1% 0.6W ±90ppm/°C J-Lead SMD T/R


RW0S6BBR100FET中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

容差 ±1 %

额定功率 0.6 W

产品系列 RW

电阻 0.1 Ω

阻值偏差 ±1 %

额定功率Max 0.6 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 50 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 5.14 mm

宽度 2.54 mm

高度 3.42 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

温度系数 ±90 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

HTS代码 8533210030

RW0S6BBR100FET引脚图与封装图
RW0S6BBR100FET引脚图

RW0S6BBR100FET引脚图

RW0S6BBR100FET封装图

RW0S6BBR100FET封装图

RW0S6BBR100FET封装焊盘图

RW0S6BBR100FET封装焊盘图

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