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RMLV0416EGBG-4S2#KC0

RMLV0416EGBG-4S2#KC0

数据手册.pdf
Renesas Electronics 瑞萨电子 电子元器件分类

静态随机存取存储器 4Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x16, FBGA, 45NS, T+R

SRAM Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 45ns 48-FBGA 7.5x8.5


立创商城:
RMLV0416EGBG-4S2#KC0


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA


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IC SRAM 4MBIT 45NS 48FBGA


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SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 256KWord x 16 45ns 48-Pin FBGA Embossed T/R


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**SRAM 256Kx16 45ns FBGA48 **


RMLV0416EGBG-4S2#KC0中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 45 ns

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 48

封装 FBGA-48

外形尺寸

封装 FBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

RMLV0416EGBG-4S2#KC0引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics 瑞萨电子 静态随机存取存储器 4Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x16, FBGA, 45NS, T+R 搜索库存
替代型号RMLV0416EGBG-4S2#KC0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RMLV0416EGBG-4S2#KC0

品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子

封装: BGA

当前型号

静态随机存取存储器 4Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x16, FBGA, 45NS, T+R

当前型号

型号: RMLV0416EGBG-4S2#AC0

品牌: 瑞萨电子

封装: 48-TFBGA

完全替代

SRAM, 4 Mbit, 256K x 16位, 2.7V 至 3.6V, FBGA, 48 引脚, 45 ns

RMLV0416EGBG-4S2#KC0和RMLV0416EGBG-4S2#AC0的区别