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R1LV0216BSB-7SI#B0

R1LV0216BSB-7SI#B0

数据手册.pdf
Renesas Electronics 瑞萨电子 电子元器件分类

R1LV0216 系列 2 Mb 128 K x 16 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP-II-44

SRAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 70ns 44-TSOP II


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II


贸泽:
静态随机存取存储器 2Mb 3V Adv. 静态随机存取存储器 x16, TSOP 70NS WTR Tray


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 128K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II Tray


富昌:
R1LV0216 系列 2 Mb 128 K x 16 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP-II-44


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 2M-bit 128K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 2M-bit 128K x 16 70ns 44-Pin TSOP-II Tray


R1LV0216BSB-7SI#B0中文资料参数规格
技术参数

供电电流 25 mA

位数 16

存取时间 70 ns

存取时间Max 70 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

R1LV0216BSB-7SI#B0引脚图与封装图
R1LV0216BSB-7SI#B0引脚图

R1LV0216BSB-7SI#B0引脚图

R1LV0216BSB-7SI#B0封装图

R1LV0216BSB-7SI#B0封装图

R1LV0216BSB-7SI#B0封装焊盘图

R1LV0216BSB-7SI#B0封装焊盘图

在线购买R1LV0216BSB-7SI#B0
型号 制造商 描述 购买
R1LV0216BSB-7SI#B0 Renesas Electronics 瑞萨电子 R1LV0216 系列 2 Mb 128 K x 16 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP-II-44 搜索库存
替代型号R1LV0216BSB-7SI#B0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: R1LV0216BSB-7SI#B0

品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子

封装: TSOP44

当前型号

R1LV0216 系列 2 Mb 128 K x 16 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP-II-44

当前型号

型号: R1LV0216BSB-5SI#B1

品牌: 瑞萨电子

封装:

完全替代

SRAM Chip Async Single 3V 2M-bit 128K x 16 55ns 44Pin TSOP-II Tray

R1LV0216BSB-7SI#B0和R1LV0216BSB-5SI#B1的区别