RB205T-90
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RB205T-90中文资料参数规格
技术参数
正向电压 780mV @7.5A
正向电流 15000 mA
正向电压Max 780mV @7.5A
正向电流Max 15000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温 150℃ Max
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RB205T-90引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RB205T-90
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RB205T-90 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 | 当前型号 | 肖特基二极管 Schottky barrier diode | 当前型号 |
| 型号： VF40100C-E3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220-3 0.73V at 20A | 功能相似 | 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.38 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A | RB205T-90和VF40100C-E3/4W的区别 |