R1LV0108ESN-5SI#S0
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Renesas Electronics
瑞萨电子
主动器件
R1LV0108ESN-5SI#S0中文资料参数规格
技术参数
位数 8
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 SOP-32
外形尺寸
封装 SOP-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 3A991
R1LV0108ESN-5SI#S0引脚图与封装图
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在线购买R1LV0108ESN-5SI#S0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R1LV0108ESN-5SI#S0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin SOP T/R | 搜索库存 |
替代型号R1LV0108ESN-5SI#S0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R1LV0108ESN-5SI#S0 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： SOP | 当前型号 | SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 128K x 8 55ns 32Pin SOP T/R | 当前型号 |
| 型号： R1LV0108ESN-5SI#B0 品牌： 瑞萨电子 封装： 32-SOIC | 完全替代 | SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器） | R1LV0108ESN-5SI#S0和R1LV0108ESN-5SI#B0的区别 |