R1LV0408DSP-5SI#B0

SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，R1LV 系列，

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出：OR-tie 能力

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP

欧时:
Renesas Electronics R1LV0408DSP-5SI#B0, 4Mbit SRAM 内存, 512K 个字 x 8 位, 2.7 → 3.6 V, 32针 SOP封装

e络盟:
RENESAS  R1LV0408DSP-5SI#B0  芯片, 存储器, SRAM, 4MB, 512KX8, 32SOP

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP Tube

安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP

Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 4M-bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP Tube

儒卓力:
**SRAM 512Kx8 55ns SOP32 **

Win Source:
IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP