RMLV0408EGSB-4S2#AA0
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Renesas Electronics
瑞萨电子
主动器件
RMLV0408EGSB-4S2#AA0中文资料参数规格
技术参数
时钟频率 1 MHz
位数 8
存取时间 45 ns
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 TSOP-32
外形尺寸
长度 11.9 mm
宽度 8.1 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-32
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RMLV0408EGSB-4S2#AA0引脚图与封装图 
RMLV0408EGSB-4S2#AA0引脚图
RMLV0408EGSB-4S2#AA0封装图
RMLV0408EGSB-4S2#AA0封装焊盘图
在线购买RMLV0408EGSB-4S2#AA0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RMLV0408EGSB-4S2#AA0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas Electronics RMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。 单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器） | 搜索库存 |
替代型号RMLV0408EGSB-4S2#AA0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RMLV0408EGSB-4S2#AA0 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： 32-SOIC | 当前型号 | 低功率 SRAM，RMLV 系列，Renesas ElectronicsRMLV 系列高性能高级静态 RAM 实现了更高的密度、低电流消耗，还提供低功率待机功耗。单 2.7V 至 3.6V 电源 存取时间：45ns（最大值） 相等存取和循环时间 常见数据输入和输出，带三态输出 所有输入和输出均兼容 TTL 适合于电池备份操作 ### SRAM（静态随机存取存储器） | 当前型号 |
| 型号： RMLV0408EGSB-4S2#AA1 品牌： 瑞萨电子 封装： | 完全替代 | SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, 2.7V 至 3.6V, TSOP-II, 32 引脚, 45 ns | RMLV0408EGSB-4S2#AA0和RMLV0408EGSB-4S2#AA1的区别 |
| 型号： RMLV0408EGSB-4S2#HA0 品牌： 瑞萨电子 封装： SOP | 完全替代 | SRAM Chip Async Single 3V 4M-Bit 512KWord x 8 45ns 32Pin TSOP Embossed T/R | RMLV0408EGSB-4S2#AA0和RMLV0408EGSB-4S2#HA0的区别 |
| 型号： R1LV0408DSB-5SI#B0 品牌： 瑞萨电子 封装： TSOP-II 500000B 32Pin | 类似代替 | RENESAS R1LV0408DSB-5SI#B0 芯片, 存储器, SRAM, 4Mb, 3V, 55NS, 32TSOP | RMLV0408EGSB-4S2#AA0和R1LV0408DSB-5SI#B0的区别 |