R1LV0816ASB-5SI#B0

低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

低功率 SRAM，R1LV 系列，

R1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。

单 2.7V 至 3.6V 电源

小待机电流

无时钟、无需刷新

所有输入和输出均兼容 TTL

三态输出：OR-tie 能力

得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

欧时:
### 低功率 SRAM，R1LV 系列，Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出：OR-tie 能力 ### SRAM（静态随机存取存储器）

艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-Bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II

Verical:
SRAM Chip Async Single 3V 8M-bit 512K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II Tray

儒卓力:
**SRAM 512Kx16 55ns TSOP44 **