RF2001T2D
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RF2001T2D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 20.0 A
正向电压 930mV @10A
反向恢复时间 30 ns
正向电流 20000 mA
正向电压Max 930mV @10A
正向电流Max 20000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 8 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RF2001T2D引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RF2001T2D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RF2001T2D 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220FN 200V 20A | 当前型号 | 快恢复二极管 Fast recovery diode | 当前型号 |
| 型号： STTH2002CT 品牌： 意法半导体 封装： TO-220AB 200V 20A 3Pin | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STTH2002CT 快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 15 A, 1.1 V, 22 ns, 90 A | RF2001T2D和STTH2002CT的区别 |
| 型号： MURF1620CTG 品牌： 安森美 封装： TO-220 200V 16A | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MURF1620CTG 快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 16 A, 975 mV, 35 ns, 100 A 新 | RF2001T2D和MURF1620CTG的区别 |
| 型号： DSA20C150PB 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220AB 740mV | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR DSA20C150PB 小信号肖特基二极管, 双共阴极, 150 V, 10 A, 740 mV, 80 A, 175 °C | RF2001T2D和DSA20C150PB的区别 |