RSB6.8CST2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSB6.8CST2R中文资料参数规格
技术参数
电容 15 pF
耗散功率 100 mW
脉冲峰值功率 10 W
最小反向击穿电压 5.78 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SMD-2
外形尺寸
封装 SMD-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSB6.8CST2R引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSB6.8CST2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ESD保护二极管 ESD Protection diode | 搜索库存 |
替代型号RSB6.8CST2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSB6.8CST2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 2-SMD | 当前型号 | ESD保护二极管 ESD Protection diode | 当前型号 |
| 型号： RSB6.8GT2R 品牌： 罗姆半导体 封装： 2-SMD 6.8V 100mW | 完全替代 | ESD 保护器，ROHM### Transient Voltage Suppressors, ROHM | RSB6.8CST2R和RSB6.8GT2R的区别 |