RSB6.8STE61
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSB6.8STE61中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.80 V
电容 30 pF
额定功率 150 mW
击穿电压 6.80 V
耗散功率 150 mW
脉冲峰值功率 10 W
最小反向击穿电压 5.78 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-523
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.6 mm
封装 SOD-523
厚度 600 µm
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
RSB6.8STE61引脚图与封装图 
RSB6.8STE61引脚图
RSB6.8STE61封装图
RSB6.8STE61封装焊盘图
在线购买RSB6.8STE61
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSB6.8STE61 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 6.8V双向齐纳稳压二极管 | 搜索库存 |
替代型号RSB6.8STE61
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSB6.8STE61 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOD-523 6.8V 150mW | 当前型号 | 6.8V双向齐纳稳压二极管 | 当前型号 |
| 型号： RSB6.8SMT2N 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-79 | 类似代替 | 静电保护装置, SOD-523, 2 引脚, 150 mW | RSB6.8STE61和RSB6.8SMT2N的区别 |