RJK60S7DPK-M0#T0

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

TO-3PSG N-CH 600V 30A

通孔 N 通道 600 V 30A（Tc） 227.2W（Tc） TO-3PSG

得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PSG Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-3PSG Tube

DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG

RJK60S7DPK-M0#T0中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 227.2W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 30A

输入电容Ciss 2300pF @25VVds

额定功率Max 227.2 W

耗散功率Max 227.2W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK60S7DPK-M0#T0引脚图与封装图

RJK60S7DPK-M0#T0引脚图

RJK60S7DPK-M0#T0封装图

RJK60S7DPK-M0#T0封装焊盘图

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