RJP5001APP-M0#T2
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
耗散功率 45000 mW
击穿电压集电极-发射极 500 V
额定功率Max 45 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 45000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
RJP5001APP-M0#T2引脚图
RJP5001APP-M0#T2封装图
RJP5001APP-M0#T2封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RJP5001APP-M0#T2 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans IGBT Chip N-CH 500V 45000mW 3Pin3+Tab TO-220FL Tube | 搜索库存 |