RJP60F4DPM-00#T1

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 41200mW 3Pin3+Tab TO-3PFM Tube

IGBT 沟道通孔 TO-3PFM

得捷:
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube

DeviceMart:
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM

RJP60F4DPM-00#T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 41200 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 41.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 41200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJP60F4DPM-00#T1引脚图与封装图

RJP60F4DPM-00#T1引脚图

RJP60F4DPM-00#T1封装图

RJP60F4DPM-00#T1封装焊盘图

在线购买RJP60F4DPM-00#T1

型号	制造商	描述	购买
RJP60F4DPM-00#T1	Renesas Electronics 瑞萨电子	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 41200mW 3Pin3+Tab TO-3PFM Tube	搜索库存