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RJL5014DPK-00#T0

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数据手册.pdf
Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

TO-3P N-CH 500V 19A

通孔 N 通道 500 V 19A(Ta) 150W(Tc) TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


RJL5014DPK-00#T0中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 19A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJL5014DPK-00#T0引脚图与封装图
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