RJH60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

IGBT 晶体管 IGBT

IGBT 沟道 600 V 45 A 40 W 通孔 TO-3PFM

得捷:
IGBT 600V 45A 40W TO3PFM

贸泽:
IGBT 晶体管 IGBT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-3PFM Tube

Win Source:
IGBT 600V 45A 40W TO3PFM / IGBT Trench 600 V 45 A 40 W Through Hole TO-3PFM

RJH60D0DPM-00#T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 40000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 40 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJH60D0DPM-00#T1引脚图与封装图

RJH60D0DPM-00#T1引脚图

RJH60D0DPM-00#T1封装图

RJH60D0DPM-00#T1封装焊盘图

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