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RJK6012DPE-00#J3

RJK6012DPE-00#J3

数据手册.pdf
Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

LDPAKS-1 N-CH 600V 10A

表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Ta) 100W(Tc) LDPAK


得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R


富昌:
RJK6012DPE Series 600 V 0.92 Ohm N Channel High Speed Power Switching MOSFET


RJK6012DPE-00#J3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 LDPAK-4

外形尺寸

封装 LDPAK-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK6012DPE-00#J3引脚图与封装图
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