RJH60V2BDPP-M0#T2

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 34000mW 3Pin3+Tab TO-220FL Tube

IGBT 沟道通孔 TO-220FL

得捷:
IGBT 600V 25A 34W TO-220FL

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220FL Tube

RJH60V2BDPP-M0#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 34000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 34 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJH60V2BDPP-M0#T2引脚图与封装图

RJH60V2BDPP-M0#T2引脚图

RJH60V2BDPP-M0#T2封装图

RJH60V2BDPP-M0#T2封装焊盘图

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