RJK0854DPB-00#J5
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
耗散功率 55W Tc
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 5.5 ns
输入电容Ciss 2000pF @10VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 6.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
封装 SOT-669
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RJK0854DPB-00#J5引脚图
RJK0854DPB-00#J5封装图
RJK0854DPB-00#J5封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RJK0854DPB-00#J5 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |