RJK6026DPE-00#J3

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3Pin TO-263 Embossed T/R

表面贴装型 N 通道 600 V 5A（Ta） 62.5W（Tc） LDPAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

贸泽:
MOSFET MOSFET, 600V, LDPAKS-1, Pb Free

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

RJK6026DPE-00#J3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 62.5W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 440pF @25VVds

耗散功率Max 62.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LDPAK-4

外形尺寸

封装 LDPAK-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK6026DPE-00#J3引脚图与封装图

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