RJK03M3DPA-00#J5A

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

WPAK N-CH 30V 40A

N-Channel 30V 40A Ta 35W Tc Surface Mount 8-WPAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK

贸泽:
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin WPAK EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin WPAK EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 40A 8-Pin WPAK EP T/R

RJK03M3DPA-00#J5A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 3010pF @10VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WFDFN-8

外形尺寸

封装 WFDFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK03M3DPA-00#J5A引脚图与封装图

RJK03M3DPA-00#J5A引脚图

RJK03M3DPA-00#J5A封装图

RJK03M3DPA-00#J5A封装焊盘图

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