RJK6032DPD-00#J2

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3Pin2+Tab MP-3A T/R

表面贴装型 N 通道 3A（Ta） 40.3W（Tc） MP-3A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A MP3A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin2+Tab MP-3A T/R

RJK6032DPD-00#J2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 40.3W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 285pF @25VVds

耗散功率Max 40.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK6032DPD-00#J2引脚图与封装图

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