RJK6002DPH-E0#T2

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3Pin TO-251 Tube

N-Channel 600V 2A Ta 30W Tc Through Hole TO-251

得捷:
MOSFET N-CH 600V 2A TO251

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube

RJK6002DPH-E0#T2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 165pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

RJK6002DPH-E0#T2引脚图与封装图

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