RJK03M5DNS-00#J5

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8Pin HWSON EP T/R

N-Channel 30V 25A Ta 15W Tc Surface Mount 8-HWSON 3.3x3.3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON

欧时:
BEAM2 Series FET, 30V, HWSON3030-8

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin HWSON EP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 25A 8HWSON / N-Channel 30 V 25A Ta 15W Tc Surface Mount 8-HWSON 3.3x3.3

RJK03M5DNS-00#J5中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 15W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1890pF @10VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 15W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HWSON-8

外形尺寸

封装 HWSON-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RJK03M5DNS-00#J5引脚图与封装图

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