RQJ0305EQDQS#H1

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

RENESAS RQJ0305EQDQS#H1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V

表面贴装型 P 通道 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） UPAK

得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.4A UPAK

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 3.4 A, 0.11 ohm, SOT-89, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.4A 4-Pin3+Tab UPAK T/R

RQJ0305EQDQS#H1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.4A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 330pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

RQJ0305EQDQS#H1引脚图与封装图

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RQJ0305EQDQS#H1	Renesas Electronics 瑞萨电子	RENESAS RQJ0305EQDQS#H1 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.11 ohm, -4.5 V	搜索库存