额定电压DC 60.0 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.107 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 39 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 38W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RFD3055LE | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LE 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 107 mohm, 5 V, 3 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RFD3055LE 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-251AA N-Channel 60V 11A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LE 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 107 mohm, 5 V, 3 V | 当前型号 | |
型号: RFD3055 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-251-3 N-Channel 60V 12A 150mohms | 类似代替 | 11A , 60V , 0.107欧姆,逻辑电平, N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs | RFD3055LE和RFD3055的区别 |