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RGF1DHE3/67A

RGF1DHE3/67A

数据手册.pdf

二极管 - 通用,功率,开关 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM

Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214BA GF1


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA


贸泽:
二极管 - 通用,功率,开关 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM


艾睿:
Diode Switching 200V 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R


安富利:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R


RGF1DHE3/67A中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.3V @1A

反向恢复时间 150 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214BA-2

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 2.9 mm

高度 2.74 mm

封装 DO-214BA-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RGF1DHE3/67A引脚图与封装图
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在线购买RGF1DHE3/67A
型号 制造商 描述 购买
RGF1DHE3/67A Vishay Semiconductor 威世 二极管 - 通用,功率,开关 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM 搜索库存
替代型号RGF1DHE3/67A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: RGF1DHE3/67A

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装:

当前型号

二极管 - 通用,功率,开关 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM

当前型号

型号: RGF1D-E3/67A

品牌: 威世

封装:

完全替代

VISHAY  RGF1D-E3/67A  标准恢复二极管, 单, 200 V, 1 A, 1.3 V, 150 ns, 30 A

RGF1DHE3/67A和RGF1D-E3/67A的区别

型号: RGF1D-E3

品牌: 威世

封装:

类似代替

1A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor

RGF1DHE3/67A和RGF1D-E3的区别

型号: RGF1D-E3/5CA

品牌: 威世

封装: DO-214BA

类似代替

DIODE SW 1A 200V 150NS DO-214BA

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