RN1104T5LFT

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SSM T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

RN1104T5LFT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1104T5LFT引脚图与封装图

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