R5F211B3NP#U0
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
微处理器
R5F211B3NP#U0中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 20.0 MHz, 20.0 MHz max
RAM大小 768 B
耗散功率 300 mW
I/O引脚数 13
存取时间 20.0 µs
内核架构 R8C
模数转换数ADC 1
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -20 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 WFQFN-28
外形尺寸
封装 WFQFN-28
物理参数
工作温度 -20℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5F211B3NP#U0引脚图与封装图
暂无图片
在线购买R5F211B3NP#U0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5F211B3NP#U0 | Renesas Electronics 瑞萨电子 | MCU 16Bit R8C CISC 12KB Flash 3.3V/5V 28Pin HWQFN Tube | 搜索库存 |