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RN1309TE85L,F

RN1309TE85L,F

数据手册.pdf
Toshiba 东芝 分立器件

USM NPN 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM


RN1309TE85L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 70

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

宽度 1.25 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1309TE85L,F引脚图与封装图
RN1309TE85L,F引脚图

RN1309TE85L,F引脚图

RN1309TE85L,F封装图

RN1309TE85L,F封装图

RN1309TE85L,F封装焊盘图

RN1309TE85L,F封装焊盘图

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