RN2109MFVTPL3
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
RN2109MFVTPL3中文资料参数规格
技术参数
最小电流放大倍数hFE 70
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VESM
外形尺寸
封装 VESM
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2109MFVTPL3引脚图与封装图 
RN2109MFVTPL3引脚图
RN2109MFVTPL3封装图
RN2109MFVTPL3封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN2109MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 47K x 22KΩ | 搜索库存 |