RN2311TE85L,F
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
RN2311TE85L,F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 100 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2311TE85L,F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RN2311TE85L,F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN2311TE85L,F | Toshiba 东芝 | USM PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号RN2311TE85L,F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RN2311TE85L,F 品牌： Toshiba 东芝 封装： USM PNP | 当前型号 | USM PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： BCR183WH6327XTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SC-70 PNP 250mW | 功能相似 | Infineon BCR183WH6327XTSA1 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323 SC-70封装 | RN2311TE85L,F和BCR183WH6327XTSA1的区别 |