RN2115MFVTPL3
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Toshiba
东芝
分立器件
RN2115MFVTPL3中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 VESM
外形尺寸
长度 1.2 mm
宽度 0.5 mm
高度 1.2 mm
封装 VESM
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RN2115MFVTPL3引脚图与封装图 
RN2115MFVTPL3引脚图
RN2115MFVTPL3封装图
RN2115MFVTPL3封装焊盘图
在线购买RN2115MFVTPL3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RN2115MFVTPL3 | Toshiba 东芝 | 双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 2.2Kohms x 10Kohms | 搜索库存 |